Nền tảng di động cao cấp mới nhất của hãng Qualcomm mang tên Snapdragon 835 đã được trình làng ngày 3-1-2017 trong khuôn khổ Hội chợ – Triển lãm Thiết bị điện tử tiêu dùng  CES 2017 tại Las Vegas (Mỹ). Vi xử lý Snapdragon 835 là nền tảng di động đầu tiên được sản xuất thương mại trên quy trình FinFET 10nm, mang đến hiệu năng đột phá và khả năng tiết kiệm điện năng vượt trội.

Trong thông cáo báo chí ngày 3-1-2017, Qualcomm cho biết: Snapdragon 835 được thiết kế để hỗ trợ các trải nghiệm giải trí thế hệ mới cùng dịch vụ điện toán đám mây cho các thiết bị tiêu dùng cao cấp, bao gồm điện thoại thông minh, kính đeo thực tế ảo / thực tế tăng cường (VR/AR), camera IP, máy tính bảng, máy tính di động và các thiết bị tiêu dùng khác sử dụng nhiều hệ điều hành đa dạng, bao gồm Android và Windows 10 và hỗ trợ các ứng dụng Win32.

Ông Cristinao Amon, Phó Chủ tịch cấp cao của Qualcomm Technologies kiêm Chủ tịch QCT, cho biết: “Vi xử lý Snapdragon cao cấp mới của chúng tôi được thiết kế để đáp ứng các nhu cầu về thực tế ảo di động và kết nối mọi lúc mọi nơi, đồng thời vẫn đạt tiêu chí mỏng và nhẹ. Snapdragon 835 đã đạt mức tích hợp công nghệ cao chưa từng có, hỗ trợ thời lượng pin dài hơn, cải thiện chất lượng đa phương tiện, và chất lượng hình ảnh tuyệt hảo với tốc độ di động ở mức gigabit, mang lại trải nghiệm nhanh và mượt mà.”

Theo Qualcomm, sức mạnh của Snapdragon 835 đến từ 5 cải tiến chủ chốt về mặt công nghệ dựa trên nền tảng máy học (machine learning).

1. Thời lượng pin: So với thế hệ vi xử lý cao cấp tiền nhiệm, Snapdragon 835 có kích thước nhỏ hơn 35% và tiêu thụ điện năng ít hơn 25%, đồng nghĩa với việc thời lượng pin tăng lên và thiết kế smartphone mỏng nhẹ hơn. Kiến trúc CPU Kryo 280 giúp tiết kiệm điện năng đáng kể, đồng thời, DSP Hexagon 682 tăng cường hỗ trợ cho các nền tảng TensorFlow và Halide. Sự kết hợp giữa CPU, GPU, DSP và nền tảng phần mềm trong vi xử lý Snapdragon 835 đem lại nền tảng tính toán phức hợp hiệu năng cao. Bên cạnh đó, Snapdragon 835 còn được trang bị chức năng sạc nhanh Qualcomm Quick Charge 4.0 giúp sạc nhanh hơn 20% với hiệu quả cao hơn 30% so với Quick Charge 3.0.
2. Trải nghiệm chân thực: Snapdragon 835 được thiết kế để đồng thời đáp ứng yêu cầu về hiệu năng cao, không làm nóng thiết bị và tiết kiệm điện năng cho các thiết kế thực tế ảo và thực tế tăng cường (VR/AR) và hỗ trợ Daydream – nền tảng thực tế ảo di động chất lượng cao của Google. Nhiều cải tiến đã được thực hiện để nâng cao chất lượng hình ảnh, âm thanh và tương tác trực quan. Những cải tiến này đã làm tăng hiệu suất đồ họa 3D lên 25% và hỗ trợ số màu nhiều hơn 60 lần cho hệ thống phụ xử lý hình ảnh Adreno 540. Snapdragon 835 cũng hỗ trợ video siêu chất lượng 4K (HDR10), hiển thị dải màu rộng 10-bit, âm thanh nổi ba chiều sống động dựa trên vật thể và bối cảnh, tính năng theo dõi chuyển động trong VR/AR với phương pháp tổng hợp cảm biến 6 bậc tự do (6DoF)
3. Chụp ảnh: Snapdragon 835 cải thiện cả hai chức năng chụp ảnh và quay phim với tính năng zoom quang học, công nghệ tự động lấy nét nhanh và HDR màu sắc chân thực dùng mã hóa video lượng tử. Sức mạnh của tất cả các tính năng trên đến từ ISP Qualcomm Spectra 180, bao gồm ISP kép 14-bit hỗ trợ camera đơn lên đến 32MP hoặc camera kép đến 16MP, cho chất lượng hình ảnh và video vượt trội.
4. Kết nối: Snapdragon 835 được tích hợp modem LTE X16 Gigabit-Class với Wi-Fi 2×2 802.11ac Wave-2 và 802.11ad Multi-gigabit, trở thành vi xử lý thương mại đầu tiên cung cấp kết nối di động tốc độ Gigabit trong mọi tình huống. Năm 2017, nhiều mạng LTE tốc độ Gigabit dự tính sẽ đi vào hoạt động và chuẩn 802.11ad sẽ trở nên phổ biến hơn. Do đó vi xử lý Snapdragon 835 được thiết kế để nâng tầm cho các trải nghiệm kết nối mới trong VR/AR, lưu trữ đám mây không giới hạn, các ứng dụng giải trí phong phú, và các ứng dụng không cần cài đặt.
5. Bảo mật: Nền tảng bảo mật Qualcomm Haven hỗ trợ bảo mật sinh trắc học bằng vân tay, mống mắt và nhận diện khuôn mặt. Nền tảng này cũng bao gồm cả xác thực dựa trên phần cứng, chức năng xác thực thiết bị, và bảo mật thiết bị trong các trường hợp thanh toán di động, các giao dịch của doanh nghiệp hoặc dữ liệu người dùng cá nhân.

Thành phần vi xử lý Snapdragon 835 bao gồm:

– CPU 280 Kryo Octa-core với cụm 4 nhân hiệu năng cao có tốc độ lên đến 2.45GHz, và cụm  4 nhân tối ưu thời lượng pin và nhiệt độ với tốc độ lên đến 1.9GHz.

– Modem LTE X16 Snapdragon được tích hợp sẵn, hỗ trợ LTE Category 16 cho tốc độ tải xuống lên đến 1Gbps, và LTE Category 13 cho tốc độ tải lên đến 150Mbps.

– Wi-Fi MU-MIMO 2×2 802.11ac được tích hợp, giúp giảm kích thước đến 50% và giảm 60% điện năng tiêu thụ khi dùng Wi-Fi so với Snapdragon 820.

– Chip Wi-Fi 802.11ad Multi-gigabit, cho tốc độ tối đa lên đến 4.6Gbps.

– Công nghệ Bluetooth 5 thương mại đầu tiên trên thế giới đạt chứng nhận mang lại tốc độ lên đến 2Mbps và hệ thống các tính năng hỗ trợ nhiều ứng dụng mới. Kết nối Bluetooth, radio FM, Wi-Fi và RF được cung cấp thông qua giải pháp WCN3990.

– GPU Adreno 540 hỗ trợ OpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0, Vulkan và DX12.

– DSP Hexagon 682 với HVX.

– Công nghệ All-Ways Aware hỗ trợ Google Awareness API.

– Bộ nhớ kênh kép LP DDR4x xung nhịp 1866MHz.

– Ứng dụng Qualcomm Location hỗ trợ các hệ thống định vị GPS, BeiDou, Galileo, và QZSS, kết hợp với kết nối LTE/Wi-Fi-Bluetooth mang lại chế độ “luôn sẵn sàng” và nhận thức bối cảnh.

– Hỗ trợ camera đơn lên đến 32MP và camera kép 16MP/camera với Qualcomm Spectra 180 ISP (image signal processor)., 2x ISP, 14-bit, tự động lấy nét lai (laser/độ tương phản/ ánh sáng/AF lấy nét pha kép),  Qualcomm Clear Sight, zoom quang học, nhận diện khuôn mặt và quay video HDR.

– Quay phim 4K UHD tốc độ 30fps, hỗ trợ lên đến mức 60fps playback, chuẩn mã hóa H.264 (AVC) và H.265 (HEVC).

– Hỗ trợ hiển thị màn hình của thiết bị và hiển thị ngoài bao gồm hiển thị UHD cao cấp, 4K tốc độ 60fps, hỗ trợ dải màu rộng, chiều sâu màu 10-bit.

– Công nghệ sạc nhanh Quick Charge 4.

– Cơ chế bảo mật của Snapdragon bao gồm phần cứng và phần mềm Qualcomm SecureMSM và bộ bảo mật Qualcomm Haven.

– Bộ giải mã âm thanh Qualcomm Aqstic WCD9341 kết hợp với Snapdragon 835 hỗ trợ bộ chuyển đổi tín hiệu âm thanh trung thực sống động ở mức 32-bit/384kHz, với chỉ số SNR ở mức 115 dB và THD+N cực thấp -105dB, và thu phát âm thanh hi-fi tự nhiên, sắc nét (DSD). Bên cạnh đó, Snapdragon 835 còn hỗ trợ Qualcomm aptX và âm thanh Bluetooth aptX HD với hiệu năng được cải thiện gấp đôi cho kết nối không dây.

– Sản xuất bằng công nghệ FinFET 10nm.

Qualcomm cho biết: CPU di động Snapdragon 835 đang được sản xuất và dự định sẽ được  sử dụng  trong các thiết bị thương mại vào nửa đầu năm 2017.

Snapdragon 820 (bìa trái) và Snapdragon 835 nhỏ hơn, mỏng hơn, nhưng mạnh hơn và ít hao điện hơn.

MEDIA ONLINE

+ Ảnh: Qualcomm và từ Internet. Thanks

CÓ THỂ BẠN QUAN TÂM:

Google thay bộ nhận diện Android mới