(STS:16.09.2015) Dành cho các thiết bị di động high-end thế hệ sắp tới, bộ vi xử lý di động Snapdragon 820 dạng system-on-chip mới của Qualcomm có sức mạnh vượt trội các đàn anh với bộ ba vi xử lý Hexagon 680 DSP, Adreno 530 GPU và nhân Kryo CPU mới. Nó cũng được tích hợp công nghệ sạc nhanh Qualcomm Quick Charge 3.0 phiên bản mới nhất và trang bị modem X12 LTE thế hệ mới nhất cung cấp tốc độ nhanh hơn cho mạng 4G LTE.

Công nghệ 4G LTE Cat 12 của chip SoC Snapdragon 820 cho tốc độ truyền tải dữ liệu cao hơn các thế hệ trước, đạt 600Mbps (downlink) và 150Mbps (uplink). Tốc độ mạng di động này đã bằng hơn một nửa công nghệ Gigabit LAN (1000Mbps) của mạng cáp băng rộng. Qualcomm đã đạt được điều này bằng cách cải tiến công nghệ Carrier Aggregation để gộp các kết nối LTE lại với nhau, 3 kết nối cho download và 2 kết nối cho upload, giống như thể chúng chỉ là một kết nối.

Đặc biệt, chip Snapdragon 820 còn hỗ trợ công nghệ LTE mới mà Qualcomm nghiên cứu phát triển trong 2 năm qua là LTE Unlicensed hay LTE-U. Công nghệ 4G LTE này kết hợp băng thông từ các phổ (spectrum) LTE có giấy phép cũng như các phổ LTE không có giấy phép để tăng tốc độ truyền tải dữ liệu cho hệ thống. Do LTE-U có phổ rất giống với phổ mà công nghệ Wi-Fi sử dụng, Qualcomm khẳng định rằng công nghệ của họ đủ thông minh để không làm ảnh hưởng tới chất lượng mạng Wi-Fi. Mối quan hệ hòa hợp giữa LTE và Wi-Fi đã được Qualcomm thể hiển trong khả năng của modem X12 LTE để chuyển qua lại một cách thông minh giữa 2 mạng này khi nhu cầu gia tăng, chẳng hạn như khi đang thực hiện các cuộc gọi HD Voice hay HD Video trên mạng LTE, nhằm khai thác tối ưu băng thông mạng.

Chip Snapdragon 820 còn hỗ trợ các công nghệ và chuẩn Wi-Fi cao tốc mới nhất như 802.11ad và 802.11ac 2×2 MU-MIMO.

Một khi tốc độ truyền tải dữ liệu gia tăng, nguồn pin cũng bị tiêu thụ nhiều hơn. Vì thế, ở chip Snapdragon 820 (cũng như 2 chip Snapdragon 617 và 430 vừa được giới thiệu), Qualcomm đã ứng dụng công nghệ sạc nhanh Qualcomm Quick Charge 3.0. Theo Qualcomm, thế hệ sạc nhanh mới nhất này có khả năng sạc nhanh gấp 4 lần sạc USB truyền thống, nhanh gấp đôi Quick Charge 1.0 và nhanh hơn 38% so với Quick Charge 2.0. Phiên bản Quick Charge 3.0 có khả năng xác định một cách thông minh đúng lượng điện áp (voltage) mà thiết bị cần để có thể sạc nhanh với tốc độ tối đa mà nó có thể rồi sau đó giảm xuống tốc độ sạc bình thường một khi đã đạt tới ngưỡng. Nó có thể chỉnh điện áp theo các mức 200mV, từ 3.6 volt tới 20 volt, tốt hơn các thế hệ trước. Quick Charge 3.0 tương thích ngược với các thiết bị hỗ trợ các phiên bản trước và có thể ứng dụng cho bất cứ dạng kết nối USB nào, ngay cả các kiểu kết nối riêng của các hãng.

Các thiết bị di động chạy SoC Snapdragon 820 sẽ bắt đầu được các hãng giới thiệu vào cuối năm 2015.

ANH PHÚC

(Theo thông tin do Qualcomm cung cấp)

VIDEO:

+ Xin mời xem video demo hoạt động của modem X12 LTE:

Và công nghệ Quick Charge 3.0: