QUALCOMM IoT DAY SHENZHEN 2015:

(STS:27.10.2015) Tại sự kiện IoE Day 2015 do hãng Qualcomm tổ chức tại thành phố Shenzhen (Trung Quốc) ngày 27-10-2015, công nghệ sạc nhanh Quick Charge thế hệ mới nhất 3.0 của Qualcomm đã được trình làng cho các nhà báo và nhà phân tích cùng các đối tác Qualcomm trong khu vực Đông Á và Đông Nam Á mắt thấy, tai nghe, tay sờ và pin sạc. (IoE là Internet of Everything, Internet cho vạn vật – cách gọi của Qualcomm cho Internet of Things).

Hãng Qualcomm Technologies (trực thuộc Tập đoàn Qualcomm Incorporated) đã giới thiệu Quick Charge 3.0 hồi giữa tháng 9-2015, tức 2 năm sau thế hệ Quick Charge 2.0 năm 2013.

Quick Charge 3.0 là công nghệ sạc đầu tiên ứng dụng thuật toán mới INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage – Trao đổi thông minh để lựa chọn điện áp tối ưu). Thuật toán này được thiết kế để cho phép các thiết bị cầm tay có được khả năng xác định việc cần yêu cầu mức độ công suất nào ở những thời điểm khác nhau để đảm bảo hiệu quả truyền tải công suất điện tối ưu trong khi vẫn đạt được hiệu suất cao nhất. Có nghĩa là lúc nào cần bao nhiêu điện thì được cung cấp đầy đủ bấy nhiêu. Theo Qualcomm, với Quick Charge 3.0, bạn có thể sạc pin cho một chiếc điện thoại di động từ mức 0% lên 80% trong vòng khoảng 35 phút (trong khi những thiết bị di động thông thường phải mất tới 90 phút). Nó sạc nhanh gấp đôi phiên bản 1.0.

Sạc Quick Charge 3.0 trình diễn tại IoE Day 2015 của Qualcomm ở Shenzhen ngày 27-10-2015.

Với INOV và nhiều cải tiến khác, Quick Charge 3.0 được thiết kế để đạt được hiệu quả cao hơn tới 38% so với Quick Charge 2.0, đồng thời được triển khai thêm nhiều bước để bảo vệ tuổi thọ của pin.

Tác giả tại IoE Day 2015 của Qualcomm ở Shanzhen ngày 27-10-2015.

Hiện nay, Quick Charge 3.0 được cung cấp dưới dạng một tùy chọn trên một số bộ vi xử lý Qualcomm Snapdragon, trong đó có Snapdragon 820, 620, 618, 617 và 430 và dự kiến có mặt trên các thiết bị di động được ra mắt vào năm tới.

PHẠM HỒNG PHƯỚC

(Shenzhen 27-10-2015)